Мы обладаем приоритетом в выращивании нелинейных кристаллов HgGa₂S₄. Высокие величины эффективности преобразования и устойчивости к лазерному излучению позволяют использовать эти кристаллы для удвоения частоты и ОПО/ОПУ (оптических параметрических осцилляторов и усилителей) в диапазоне дли волн от 1.0 до 10 мкм. Было установлено, что эффективность генерации второй гармоники от излучения CO₂ лазера для элемента HgGa₂S₄ длиной 4 мм составляет около 10% (длительность импульса - 30 нс., плотность мощности излучения - 60 МВт/см2). Кристалл HgGa₂S₄ был использован в оптическом параметрическом осцилляторе с накачкой на 1064 нм, работающем при 100 Гц, для генерации холостых импульсов длительностью ~5 нс в области 4 мкм с энергией до 6.1 мДж и средней мощностью 610 мВт. При размерах кристалла, сопоставимых с размерами коммерчески доступных кристаллов AgGaS₂, работа HgGa₂S₄ ОПО с накачкой на 1064 нм характеризуется значительно более низким порогом накачки и более высокой эффективностью преобразования, важнейшим следствием чего является возможность практического применения такого устройства при уровнях накачки существенно более низких, чем порог оптического пробоя.