Лаборатория Новейших технологий основана в Кубанском государственном университете в 1971 г. с целью разработки технологий выращивания высококачественных нелинейных кристаллов, предназначенных для использования в приборах и устройствах с параметрическим преобразованием излучения среднего ИК диапазона. Решающая поддержка при создании лаборатории была оказана академиком Р. В. Хохловым - одним из основоположников современной нелинейной оптики.
В процессе своего развития лаборатория приобрела значительный опыт в области теоретических и экспериментальных исследований по созданию материалов для источников когерентного ИК излучения в среднем и дальнем спектральных диапазонах. Работы в этом направлении проводились по постановлениям ЦК КПСС и Совета Министров СССР с 1974 по 1996 гг. В лаборатории была создана система дистанционной регистрации поражения космических объектов излучением силового лазера, которая прошла успешные испытания на специальном полигоне.
В настоящее время продукцией лаборатории являются нелинейные элементы, изготовленные на основе монокристаллов AgGaS₂, AgGaSe₂, HgGa₂S₄, GaSe, AgGa_1-x In_xS₂, AgGa_1-x In_xSe₂, CdGa₂S₄, BaGa₄S₇, BaGa₄Se₇, PbIn₆Te₁₀, PbGa₆Te₁₀, монокристаллы растворов в системах AgGaS₂ - GeS₂, AgGaSe₂ - GeSe₂, лазерные оптические элементы ZnSe:Cr³⁺, ZnSe:Fe³⁺, PbGa2S4:Dy ³⁺.
Исследование свойств, производимых в лаборатории материалов, а также разработка на их основе новейших оптических устройств осуществляется в рамках научного и технического сотрудничества с ведущими специализированными центрами Германии, США, Европы, Китая, Японии и др. стран. Одна из работ по созданию микрочиповых лазеров на основе полученных в Лаборатории кристаллов Cr²⁺:ZnS и Cr²⁺:ZnSe, проведенная совместно с учеными США (Univ. of Alabama, Birmingham), Германии (IRE-Polus Group) и Австрии (Photonics Inst., Technische Univ. Wien), в 2004 г. решением английского Королевского Общества инженеров-электриков удостоена “Снелловской премии” за 2002-2003 г.г., присуждаемой за наиболее перспективные для практического использования направления исследований.
В настоящее время в мире интенсивно ведутся исследования по созданию лазеров среднего ИК-диапазона. В качестве новой эффективной среды для таких лазеров в лаборатории впервые предложены и выращены низкофононные кристаллы PbGa₂S₄, активированные редкоземельными элементами Nd, Dy и Ce, на которых сотрудники Института общей физики РАН получили генерацию в спектральном диапазоне 4.2-5.5 мкм [2].
Совместно с ИОФ РАН был создан прототип лазера на элементах PbGa2S4 с непрерывной генерацией в среднем ИК диапазоне, и в Кубанском медицинском университете, проведены его успешные медико-биологические испытания в качестве стимулятора заживления ран.
Впервые в мире создан нелинейный преобразователь частоты дальнего ИК излучения на основе кристалла PbIn₆Te₁₀ до 30 мкм. Эти преобразователи частоты в перспективе могут использоваться для разделения изотопов урана и переработки радиоактивных отходов атомных реакторов.
Совместно с Ливерморской лабораторией (США) проведены исследования новых халькогенидов свинца для датчиков альфа- и гамма-излучения.